IPR SMART / Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Чтение online

Рейтинг издания

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Издательство:

Сибирское отделение РАН

Авторы:

Кузнецов Ф.А., Воронков М.Г., Борисов В.О., Игуменов И.К., Каичев В.В., Кеслер В.Г., Кириенко В.В., Кичай В.Н., Косинова М.Л., Кривенцев В.В., Лебедев М.С., Лис А.В., Морозова Н.Б., Никулина Л.Д., Рахлин В.И., Румянцев Ю.М., Смирнова Т.П., Суляева В.С., Сысоев С.В., Титов А.А., Файнер Н.И., Цырендоржиева И.П., Чернявский Л.И., Яковкина Л.В.

Сведения об ответственности:

ред. Смирнова Т.П.

Год издания:

2013

ISBN:

978-5-7692-1272-7

Тип издания:

монография

DOI:

не присвоен узнать подробнее

Об издании

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.

Библиографическая запись

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф.А. Кузнецов [и др.].. — Новосибирск : Сибирское отделение РАН, 2013. — 176 c. — ISBN 978-5-7692-1272-7. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/32819.html (дата обращения: 20.04.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей