Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора. Учебное пособие
Об издании
Содержит краткое изложение теории расчёта электрических характеристик многоэмиттерного биполярного транзистора и методику расчёта этих характеристик с помощью системы компьютерной математики MathCAD для проведения практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы». Предназначено для подготовки обучающихся по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника профиль «Светотехника и источники света».
Библиографическая запись
Осипенко И.А. Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора : учебное пособие / Осипенко И.А., Попова И.Г., Благин А.В.. — Ростов-на-Дону : Донской государственный технический университет, 2019. — 54 c. — ISBN 978-5-7890-1755-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/117738.html (дата обращения: 20.03.2026). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Альжанова Э.Е.
(EDP Hub (Идипи Хаб), Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Корниенко В.Т.
(Ай Пи Ар Медиа)
Хрусталёв В.А., Юрин В.Е.
(Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Шошин Е.Л., Лукьянов С.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Ткаченко С.В., Сысоев А.С.
(Липецкий государственный технический университет, Профобразование)
Соломенникова Е.А., Гурин В.В., Прищенко Е.А.
(Новосибирский государственный университет)
Воронина П.В., Лапин В.Н.
(Новосибирский государственный университет)
Долгушина Л.В., Мякин Т.Г.
(Новосибирский государственный университет)