Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора. Учебное пособие
Об издании
Содержит краткое изложение теории расчёта электрических характеристик многоэмиттерного биполярного транзистора и методику расчёта этих характеристик с помощью системы компьютерной математики MathCAD для проведения практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы». Предназначено для подготовки обучающихся по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника профиль «Светотехника и источники света».
Библиографическая запись
Осипенко И.А. Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора : учебное пособие / Осипенко И.А., Попова И.Г., Благин А.В.. — Ростов-на-Дону : Донской государственный технический университет, 2019. — 54 c. — ISBN 978-5-7890-1755-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/117738.html (дата обращения: 18.12.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Корниенко В.Т.
(Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Зубарева А.П.
(Новосибирский государственный университет)
Красников А.С., Мызина С.Д.
(Новосибирский государственный университет)
Бурдина Е.В., Голиков К.Н., Гришина Е.П., Ефимова В.В., Макеев А.В., Сунгатуллин А.Ю., Туганов Ю.Н., Чижов М.В.
(Российский государственный университет правосудия)
Соломенникова Е.А., Гурин В.В., Прищенко Е.А.
(Новосибирский государственный университет)
Красняков Н.И.
(Новосибирский государственный университет)
Невежина М.В., Шарохина Е.В., Михайлова Е.Б., Бойко Е.А., Бегаева Е.Н.
(ЮНИТИ-ДАНА)
