Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3. Учебное пособие
Об издании
В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
Библиографическая запись
Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 : учебное пособие / В. С. Данилов. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2009. — 80 c. — ISBN 978-5-7782-1284-8. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/45075.html (дата обращения: 25.10.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Глебов В.В., Кангин М.В., Кангин Е.М., Щеглетов К.А., Кангин А.М.
(Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Добрица В.П., Кулешова Е.А., Халин Ю.А.
(Инфра-Инженерия)
Маликов Р.Ф., Усманова А.Р.
(Инфра-Инженерия)
Турупалов В.В., Андриевская Н.К., Мартыненко Т.В., Хрюкин Е.А.
(Инфра-Инженерия)
Фокина С.И., Выволокина А.В., Гарькушев А.Ю., Липис А.В.
(Инфра-Инженерия)