Чтение online
Недоступно
Рейтинг издания
Поделиться:

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3. Учебное пособие

Издательство:
Новосибирский государственный технический университет
Авторы:
Данилов В.С.
Год издания:
2009
ISBN:
978-5-7782-1284-8
Тип издания:
учебное пособие
DOI:

Об издании

В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.

Библиографическая запись

Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 : учебное пособие / В. С. Данилов. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2009. — 80 c. — ISBN 978-5-7782-1284-8. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/45075.html (дата обращения: 25.10.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ

C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ

Этот сайт использует «cookies». Условия использования «cookies» см. в Пользовательском соглашении. Также сайт использует инструменты для сбора технических данных касательно посетителей с целью получения маркетинговой и статистической информации. Условия обработки данных посетителей сайта см. в Политике конфиденциальности. В случае несогласия с обработкой данных, просим покинуть сайт Принять условия