Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4. Учебное пособие
Об издании
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Библиографическая запись
Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2011. — 79 c. — ISBN 978-5-7782-1618-1. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/45076.html (дата обращения: 15.12.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Глебов В.В., Кангин М.В., Кангин Е.М., Щеглетов К.А., Кангин А.М.
(Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Тополь Э.
(Альпина Паблишер)
Зайцева Е.Н., Мунина И.И., Дубищев А.В., Савирова Т.Ю., Корчагина Д.В., Шарова О.В., Цибина А.С.
(Ай Пи Ар Медиа)
Носенко Д.И., Золотарёв А.П., Уймин А.Г., Дегтярев С.С., Ефименко Т.И., Морозов И.М., Шальнев В.В.
(Профобразование)
Окороков А.Н.
(Медицинская литература, Профобразование)
Голубев С.С., Губин А.М., Романенко Н.Ю., Цивилева А.Е.
(Ай Пи Ар Медиа)
