Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4. Учебное пособие
Об издании
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Библиографическая запись
Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2011. — 79 c. — ISBN 978-5-7782-1618-1. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/45076.html (дата обращения: 15.12.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Глебов В.В., Кангин М.В., Кангин Е.М., Щеглетов К.А., Кангин А.М.
(Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
Николаева Н.Н., Куликова М.В.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
Николаева Н.Н., Куликова М.В.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Максимов Г.В., Василенко В.Н., Клименко А.И., Максимов А.Г., Ленкова Н.В.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
Белова С.А., Давыдова Т.Е., Иванова Н.П., Лойко О.А., Тимофеева О.В., Фейзрахманова Н.М., Черноморец Т.В.
(Профобразование)
Воробьева О.М., Баранова Д.К., Левченко В.В.
(Ай Пи Ар Медиа)
Булгакова С.В., Тренева Е.В., Курмаев Д.П., Косарева О.В., Шаронова Л.А., Долгих Ю.А.
(Ай Пи Ар Медиа)