Чтение online
Недоступно
Рейтинг издания
Поделиться:

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4. Учебное пособие

Издательство:
Новосибирский государственный технический университет
Авторы:
Данилов В.С., Раков Ю.Н.
Год издания:
2011
ISBN:
978-5-7782-1618-1
Тип издания:
учебное пособие
DOI:

Об издании

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.

Библиографическая запись

Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2011. — 79 c. — ISBN 978-5-7782-1618-1. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/45076.html (дата обращения: 15.12.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ

C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ

Этот сайт использует «cookies». Условия использования «cookies» см. в Пользовательском соглашении. Также сайт использует инструменты для сбора технических данных касательно посетителей с целью получения маркетинговой и статистической информации. Условия обработки данных посетителей сайта см. в Политике конфиденциальности. В случае несогласия с обработкой данных, просим покинуть сайт Принять условия