Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов. Учебное пособие
Об издании
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Библиографическая запись
Данилов В.С. Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В.С., Раков Ю.Н.. — Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. — 418 c. — ISBN 978-5-7782-3369-0. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/91724.html (дата обращения: 07.12.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Глебов В.В., Кангин М.В., Кангин Е.М., Щеглетов К.А., Кангин А.М.
(Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
.jpg)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Николенко О.В., Сомоева С.Р., Бабакова Л.Д., Шаповалова Е.Ю.
(Донской государственный технический университет)
Горский В.Е., Захаркин И.В.
(Издательство «Спорт»)
Хрипко Е.Г., Иванова З.И., Романова Е.В., Мудрак С.А.
(МИСИ-МГСУ, ЭБС АСВ)
Логунова И.В.
(Воронежский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
Лукина Л.В.
(Воронежский государственный архитектурно-строительный университет, ЭБС АСВ)
На конкретных примерах рассмотрим:
На конкретных примерах рассмотрим: