Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах. Учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий

Об издании

На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».

Библиографическая запись

Тяжлов, В. С. Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах : учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий / В. С. Тяжлов, В. Н. Посадский. — Саратов : Издательство Саратовского университета, 2019. — 36 c. — ISBN 978-5-292-04601-1. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/99039.html (дата обращения: 21.07.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей