Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора

Авторы: Осипенко И.А., Попова И.Г., Благин А.В.

Издательство: Донской государственный технический университет

Содержит краткое изложение теории расчёта электрических характеристик многоэмиттерного биполярного транзистора и методику расчёта этих характеристик с помощью системы компьютерной математики MathCAD для проведения практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы». Предназначено для подготовки обучающихся по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника профиль «Светотехника и источники света».