Физические основы роста кристаллов. Ч.1

Авторы: Каплунов И.А., Иванова А.И., Третьяков С.А.

Издательство: Тверской государственный университет

Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества.