Неупругая релаксация квазичастиц и детектирование ИК фотонов в сверхпроводниковых наноструктурах Wsi

Авторы: Корнеев А.А., Корнеева Ю.П., Рябчун С.А., Чулкова Г.М., Семенов А.В., Гольцман Г.Н.

Издательство: Московский педагогический государственный университет

Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкоплёночных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.