Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Авторы: Кузнецов Ф.А., Воронков М.Г., Борисов В.О., Игуменов И.К., Каичев В.В., Кеслер В.Г., Кириенко В.В., Кичай В.Н., Косинова М.Л., Кривенцев В.В., Лебедев М.С., Лис А.В., Морозова Н.Б., Никулина Л.Д., Рахлин В.И., Румянцев Ю.М., Смирнова Т.П., Суляева В.С., Сысоев С.В., Титов А.А., Файнер Н.И., Цырендоржиева И.П., Чернявский Л.И., Яковкина Л.В.

Издательство: Сибирское отделение РАН

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.