Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V

Авторы: Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Рыбальченко А.Ю.

Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа

Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей.