Основы силовой электроники. Силовые полупроводниковые приборы

Авторы: Богомяков А.А., Голов Н.А., Евсеев Ю.А., Ковалев Ф.И., Кубарев Л.П., Поташников М.Ю., Усачев В.А.

Издательство: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана

Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 «Радиоэлектронные системы и комплексы». Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.