Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М.. — Москва : Лаборатория знаний, 2021. — 305 c. — ISBN 978-5-00101-109-5. — Текст : электронный // IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/109457.html (дата обращения: 31.01.2023). — Режим доступа: для авторизир. пользователей