Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Курс лекций
Об издании
В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
Библиографическая запись
Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники : курс лекций / Таперо К.И.. — Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. — 252 c. — ISBN 978-5-87623-415-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/98100.html (дата обращения: 30.04.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Малыш М.Н., Ткаченко В.А.
(Проспект Науки)
Базарнова Ю.Г., Иванченко О.Б., Севастьянова А.Д.
(Проспект Науки)
Вишневский А.В.
(Российский государственный университет правосудия)
Вилков А.А., Шестов Н.И., Казаков А.А., Труханов В.А., Семенова В.Г., Богданов А.В.
(Издательство Саратовского университета)
Ковальская Г.Н., Михалевич Е.Н.
(Ай Пи Ар Медиа)
Евстафьев В.А., Тюков М.А.
(Дашков и К)