Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия. Курс лекций

Об издании

В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций. Необходимо особо отменить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется. Предназначено для студентов 4 и 5 курсов специальностей 071000, 200100 и направлений 5516, 5507, 5531, а также аспирантов специализирующихся в области физики и технологии роста кристаллов по специальностям: 01.24.10, 05.27.06 и 05.27.01.

Библиографическая запись

Бублик В.Т. Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия : курс лекций / Бублик В.Т., Мильвидский А.М.. — Москва : Издательский Дом МИСиС, 2006. — 93 c. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/98841.html (дата обращения: 06.12.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей