Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники. Физические основы элементной базы полупроводниковой электроники и работы полупроводниковых устройств. Учебное пособие для студентов бакалавриата по направлению подготовки 11.03.03 «Проектирование и технология электронных средств»
Об издании
В учебном пособии рассмотрены физические основы процессов, в которых участвуют носители заряда в полупроводниках, их характеристики, а также основные процессы, протекающие при работе базовых полупроводниковых электронных устройств. Пособие является продолжением учебного пособия «Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники. Предмет микроэлектроники. Основные положения квантовой механики», в соответствии с этим организована в пособии нумерация разделов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата направления подготовки 11.03.03 «Проектирование и технология электронных средств».
Библиографическая запись
Климовский А.Б. Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники. Физические основы элементной базы полупроводниковой электроники и работы полупроводниковых устройств : учебное пособие для студентов бакалавриата по направлению подготовки 11.03.03 «Проектирование и технология электронных средств» / Климовский А.Б.. — Ульяновск : Ульяновский государственный технический университет, 2021. — 103 c. — ISBN 978-5-9795-2147-3. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/121284.html (дата обращения: 21.12.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Глебов В.В., Кангин М.В., Кангин Е.М., Щеглетов К.А., Кангин А.М.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Ай Пи Ар Медиа)
Миронов А.В., Садриева А.Н., Филатова Л.П.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
.jpg)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Кац Н.Г.
(Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
(Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
Томина Н.Н., Максимов Н.М., Тыщенко В.А., Пимерзин А.А.
(Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
Косырев К.А., Руденко А.В.
(Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»)
Курбатов В. А., Ерофеева В.В., Шакиров К.Ф., Яблочников С.Л.
(Московский технический университет связи и информатики)
Шляхин Д.А., Ахмедов А.Д., Кальмова М.А.
(Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
Митрошин В.Н., Узенгер А.А.
(Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ)
