Моделирование 3D наносхемотехники
Об издании
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».
Библиографическая запись
Трубочкина, Н. К. Моделирование 3D наносхемотехники / Н. К. Трубочкина. — 4-е изд. — Москва : Лаборатория знаний, 2024. — 524 c. — ISBN 978-5-93208-756-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/144286.html (дата обращения: 14.10.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Воличенко О.В.
(Ай Пи Ар Медиа)
Черепахин А.А., Агеев Е.В.
(Ай Пи Ар Медиа)
Смирнов Е.И., Богун В.В., Буракова Г.Ю.
(Ай Пи Ар Медиа)
Сперанский Д.В., Скобцов Ю.А., Скобцов В.Ю.
(Интернет-Университет Информационных Технологий (ИНТУИТ), Ай Пи Ар Медиа)