Гетероструктурная наноэлектроника. Учебное пособие
Об издании
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
Библиографическая запись
Ковалев, А. Н. Гетероструктурная наноэлектроника : учебное пособие / А. Н. Ковалев. — Москва : Издательский Дом МИСиС, 2009. — 155 c. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/98163.html (дата обращения: 31.10.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Клевцов Г.В., Клевцова Н.А., Попова Л.И., Болдырев Д.А.
(Инфра-Инженерия)
Волощенко П.Ю., Волощенко Ю.П.
(Издательство Южного федерального университета)
Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л., Уткина Е.А.
(Лаборатория знаний)
Кондратович П.А.
(Инфра-Инженерия)
Кобелева Н.Ф.
(Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики)
Коломин В.М., Рыбкин В.Н., Иовдальский В.А., Соколов И.А.
(КУРС)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Иванова Ю.А., Мишенева Ю.И., Нестеренко В.Г., Сайтимова Т.Н.
(Профобразование)
Кязимов К.Г.
(Вузовское образование)
На конкретных примерах рассмотрим:
На конкретных примерах рассмотрим: