Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств. Учебное пособие

Об издании

Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.

Библиографическая запись

Перинский В.В. Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В.В., Перинская И.В., Калганова С.Г.. — Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. — 123 c. — ISBN 978-5-7433-3318-9. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/99260.html (дата обращения: 06.12.2025). — Режим доступа: для авторизир. пользователей