Основы математического моделирования. Учебное пособие
Об издании
В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Библиографическая запись
Юрчук С.Ю. Основы математического моделирования : учебное пособие / Юрчук С.Ю.. — Москва : Издательский Дом МИСиС, 2014. — 108 c. — ISBN 978-5-87623-811-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/98880.html (дата обращения: 22.03.2026). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Альжанова Э.Е.
(EDP Hub (Идипи Хаб), Ай Пи Ар Медиа)
Седова Н.А., Седов В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Хрусталёв В.А., Юрин В.Е.
(Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Быченков С.В., Нестеров В.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Афанасьев А.И., Потапов В.Я., Фролов С.Г., Упоров С.А., Потапов В.В., Чиркова А.А.
(Ай Пи Ар Медиа)
Генералова С.В.
(Вузовское образование)
Данилова Л.Ф., Полетайкин А.Н.
(Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики)